报告题目：基于MBE/MOCVD生长的AlGaN材料及其紫外发光器件研究

时间: 2018年11月29日（周四） 10:00-11:00am

地点: 电子与光学工程学院学科楼B-223

报告人:中国科学技术大学孙海定研究员

主办单位：电子与光学工程学院、微电子学院

报告人简介:

孙海定博士，现任中国科技大学研究员，中科院“百人计划”入选者，博士生导师（IEEE senior member），毕业于美国波士顿大学，师从MBE生长氮化物半导体奠基人Theodore D. Moustakas教授。从事宽禁带半导体材料和器件研究，涵盖氧化物和氮化物的材料生长（包括平面结构和纳米结构如纳米线，多量子阱等。开发紫外和可见光光电器件, 激光器, 探测器，硅光集成电路。以第一作者已发表19篇SCI论文，多项美国专利，三十多次口头国际会议报告。成果发表于Advanced Functional Materials, ACS Photonics, Optics Express, Applied Physics Letters等。相关工作引起同行和业界关注并被国际科技媒体报道近100次，多次以周刊/月刊亮点新闻专题报道和高度评价，如Phys.org物理期刊, EE Times(电子工程期刊), Compound Semiconductor(国际半导体权威杂志)，Semiconductor Today, Nanowerk, 中国半导体照明网等报道。受邀担任Advanced Materials等20多家期刊审稿人。

报告摘要:

宽禁带半导体材料的紫外发光二极管(Ultraviolet Light-Emitting Diode, UV LED)和紫外激光器在杀菌消毒、聚合物固化、生化探测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用前景。三族氮化物半导体材料氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)及氮化铟(InN)均为直接带隙半导体材料, 其禁带宽带分别为3.43, 6.04 和0.65 eV, 通过调节其合金组分, 可以实现从200–400 nm 光谱范围内的发光。本报告主要涵盖: (1) 基于MOCVD 和MBE的薄膜和纳米线材料生长及材料表征, (2) 紫外光电器件制备流程及其优化，(3) 器件电学，光学表征等方面深入介绍紫外发光器件的发光特性及尚未解决的挑战和可行的新的解决方法。