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学术报告:下一代先进纳米电子器件和工艺集成平台
发布时间: 2018-10-11 访问次数: 13

报告题目:下一代先进纳米电子器件和工艺集成平台

时间: 201810月13日(周六) 10:00-11:00 am

地点电子与光学工程学院、微电子学院学科楼A-327

报告人:新加坡国立大学 GongXiao 教授

主办单位:电子与光学工程学院、微电子学院


报告人简介:

GongXiao,博士,教授,新加坡国立大学先进半导体器件和工艺集成实验室的PI兼博士生导师和NUSECE的学术委员会委员。他在世界电子学院排名第六的新加坡国立大学电子学院获得电子工程博士学位。他在本学科国际顶级期刊和杂志上发表了120余篇科研成果,其中包括48篇SCI期刊论文和16篇国际会议邀请报告。他在本学科顶级会议VLSI和IEDM上总共发表20篇科研成果,并因锗硒多栅晶体管的工作获得VLSI大会最佳论文奖


GongXiao教授是第六届全球台积电TSMC科技竞赛铜牌获得者,他的科研工作被国际知名媒体多次报道,比如Integrating indium gallium arsenide transistor and III-V laser on siliconUpwardly Mobile III-V and Ge-based TransistorsMonolithic III-V transistors and laser diodes integrated on germanium Semiconductor Today上的报道。Nanowire FETs for future logicCompound Semiconductors上的报道。他是多个国际会议的组委会委员和分会主席。担任多个国际知名期刊的评委,比如IEEE EDL, TED, TDMR, IEEE Journal of the Electron Devices Society (JEDS), Journal of Applied Physics (JAP), and Applied Physics Letters (APL), Journal of Materials Research, Optical Express (OE), Applied Physics Express (APE)


科研项目和方向主要包括:·

· “InGaAs HEMT Devices on Silicon”  ·

· “SSOI Technology for Flexible Electronic Systems·

· “Enabling Dynamic Threshold Voltage Modulation for InGaAs HEMTs on Si Substrate”  ·

· “Advanced Gate Stack Engineering for Transistors Employing Ge or GeSn channels” ·

· Basic Support for Trailblazing Advances in Nanoelectronics Devices”

· “Compound Semiconductors on Germanium Fins and/or Self-Aligned Contact Metallization


报告内容

1)下一代集成电路必须的先进纳米电子器件。

2)下一代最新的工艺集成平台。



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